מקורות Terahertz תמיד היו אחת הטכנולוגיות החשובות ביותר בתחום קרינת THz. הרבה דרכים הוכחו כפונקציונליות להשגת קרינת THz. בדרך כלל, טכנולוגיות אלקטרוניקה ופוטוניקה.בתחום הפוטוניקה, יצירת הבדל אופטי לא-ליניארי המבוסס על מקדם לא-ליניארי גדול, גבישים לא-לינארים של סף נזק אופטי גבוה היא אחת הדרכים להשיג הספק גבוה, מתכוונן, נייד וטמפרטורת חדר ההפעלה של גל THz.גבישים לא ליניאריים של GaSe ו-ZnGeP2(ZGP) מיושמים בעיקר.
גבישי GaSe עם ספיגה נמוכה בגל מילימטר ו-THz, סף פגום גבוה ומקדם שני גבוה (d22 = 54 pm/V), משמשים בדרך כלל לעיבוד גל Terahertz בטווח של 40μm וגם גל Thz מתכוונן בפס גל ארוך (מעבר ל-40μm).הוכח כי גל THz ניתן לכוונון ב-2.60 -39.07 מיקרומטר כאשר זווית התאמה ב-11.19°-23.86°[eoo (e - o = o)], ו-2.60 -36.68μm פלט כאשר זווית התאמה ב-12.19°-27.01°[eoe (eoe) - o = ה)].יתר על כן, גל THz מתכוונן של 42.39-5663.67μm התקבל כאשר זווית ההתאמה ב-1.13°-84.71°[oee (o - e = e)].
גבישי ZnGeP2 (ZGP) עם מקדם לא ליניארי גבוה, מוליכות תרמית גבוהה, סף פגום אופטי גבוה נחקרו גם כמקור THz מצוין.ל-ZnGeP2 יש גם מקדם לא ליניארי שני ב-d36 = 75 pm/V), שהוא פי 160 מגבישי KDP.זווית התאמת הפאזות של שני סוגים של גבישי ZGP (1.03°-10.34°[oee (oe = e)]& 1.04°-10.39°[oeo (oe=e)]) המעבדים פלט THz דומה (43.01 -5663.67μm), סוג oeo הוכיח את עצמו כבחירה טובה יותר בשל מקדם לא ליניארי יעיל יותר.במשך זמן רב מאוד, יציבות הפלט של גבישי ZnGeP2 כמקור Terahertz הייתה מוגבלת, מכיוון שלגביש ZnGeP2 מספקים אחרים יש ספיגה גבוהה באזור אינפרא אדום קרוב (1-2μm): מקדם ספיגה>0.7cm-1 @1μm ו>0.06 cm-1@2μm.עם זאת, DIEN TECH מספקת גבישי ZGP (דגם: YS-ZGP) עם ספיגה נמוכה במיוחד: מקדם ספיגה <0.35cm-1@1μm ו<0.02cm-1@2μm.הקריסטלים המתקדמים של YS-ZGP מאפשרים למשתמשים להגיע לתפוקה טובה בהרבה.
התייחסות:'基于 GaSe 和 Zn GeP2 晶体差频产生可调谐太赫兹辐射的理论研究'2008 סנטר.פיזי.Soc.
