LGS קריסטלים

גביש La3Ga5SiO14 (גביש LGS) הוא חומר אופטי לא ליניארי עם סף נזק גבוה, מקדם אלקטרו-אופטי גבוה וביצועים אלקטרו-אופטיים מצוינים.גביש LGS שייך למבנה המערכת הטריגונלית, מקדם התפשטות תרמית קטן יותר, אניזוטרופיה תרמית של הגביש חלשה, הטמפרטורה של יציבות הטמפרטורה הגבוהה טובה (טובה יותר מ- SiO2), עם שני מקדמים אלקטרו-אופטיים עצמאיים טובים כמו אלו של BBO קריסטלים.המקדמים האלקטרו-אופטיים יציבים בטווח רחב של טמפרטורות.הקריסטל בעל תכונות מכניות טובות, ללא מחשוף, ללא דליקות, יציבות פיזיקוכימית ובעל ביצועים מקיפים טובים מאוד.גביש LGS בעל פס שידור רחב, מ-242nm-3550nm בעל קצב שידור גבוה.זה יכול לשמש עבור אפנון EO ו-EO Q-Switches.

לקריסטל LGS יש מגוון רחב של יישומים: בנוסף לאפקט פיזואלקטרי, אפקט סיבוב אופטי, גם ביצועי האפקט האלקטרו-אופטי שלו עדיפים מאוד, לתאי LGS Pockels יש תדר חזרות גבוה, צמצם חתך גדול, רוחב פולס צר, הספק גבוה, אולטרה -טמפרטורה נמוכה ותנאים אחרים מתאימים למתג LGS קריסטל EO Q.יישמנו את מקדם ה-EO של γ 11 לייצור תאי LGS Pockels, ובחרנו ביחס רוחב-גובה גדול יותר שלו כדי להפחית את המתח חצי-גל ​​של תאים אלקטרו-אופטיים של LGS, שיכולים להתאים לכוונון אלקטרו-אופטי של כל מצב מוצק לייזר עם שיעורי חזרות גבוהים יותר.לדוגמה, ניתן ליישם אותו על לייזר LD Nd:YVO4 במצב מוצק שאוב עם הספק ואנרגיה ממוצעים גבוהים מעל 100W, עם הקצב הגבוה ביותר עד 200KHZ, התפוקה הגבוהה ביותר עד 715w, רוחב הדופק עד 46ns, הרציף תפוקה של עד כמעט 10w, וסף הנזק האופטי גבוה פי 9-10 מזה של גביש LiNbO3.מתח 1/2 גל ומתח גל של 1/4 נמוכים מזה של BBO Pockels Cells בקוטר זהה, ועלות החומר וההרכבה נמוכים מזו של RTP Pockels Cells באותו קוטר.בהשוואה לתאי DKDP Pockels, הם אינם פתרונות ובעלי יציבות טמפרטורה טובה.ניתן להשתמש בתאים אלקטרו-אופטיים של LGS בסביבות קשות ויכולים לתפקד היטב ביישומים שונים.